ప్రకటనను మూసివేయండి

20nm-4Gb-DDR3-03శాంసంగ్ మరోసారి మొదటి స్థానంలో నిలిచింది. ఈసారి, దక్షిణ కొరియా కంపెనీ ప్రపంచంలోనే అత్యంత వేగవంతమైన ర్యామ్‌ను సృష్టించగలిగినట్లు ప్రకటించింది. DDR5 రకం మెమరీ HBM2 ఇంటర్‌ఫేస్‌ను ఉపయోగిస్తుంది మరియు 256 GB/s వరకు బదిలీ వేగాన్ని కలిగి ఉంటుంది, ఇది గ్రాఫిక్స్ కార్డ్‌లలో ఉపయోగించిన మునుపటి DDR7 మాడ్యూల్స్ కంటే 5 రెట్లు వేగంగా ఉంటుంది. కార్పొరేట్ సర్వర్‌ల తయారీదారులకు, అలాగే గ్రాఫిక్స్ కార్డ్‌లు, nVidia మరియు AMD తయారీదారులకు దాని సూపర్-ఫాస్ట్ 4GB DDR5 మెమరీని అందిస్తామని కంపెనీ ప్రకటించింది.

గ్రాఫిక్స్ కార్డ్‌ల కోసం మెమరీ మాడ్యూల్‌లు 20-nm తయారీ ప్రక్రియను ఉపయోగించి తయారు చేయబడతాయి, ఇది అధిక పనితీరును అందిస్తూ నేటి జ్ఞాపకాల కంటే తక్కువ వినియోగించేలా చేస్తుంది. ప్రస్తుతం, 4-గిగాబిట్ కోర్లతో నాలుగు లేయర్‌లతో కూడిన 8GB చిప్‌లు ఉత్పత్తి చేయబడుతున్నాయి, అయితే అవి త్వరలో ఎనిమిది లేయర్‌లతో 8GB మెమరీని ఉత్పత్తి చేయబోతున్నాయి.

20nm 8Gb DDR4 Samsung

 

*మూలం: SamMobile

ఈరోజు ఎక్కువగా చదివేది

.